美光出样 192GB SOCAMM2 内存模组：容量提升 50%，能效提升 20+%

10月23日讯 美光 Micron 美国爱达荷州当地时间 22 日宣布已向客户出样基于最新 1-gamma LPDDR5x DRAM 的 192GB SOCAMM2 内存模组。

美光新出样的 SOCAMM2 可达到 9600MT/s 的传输速率，相较初代 SOCAMM 容量提升 50%，DRAM Die 级别能效提升超过 20%。

而对于数据中心 AI 系统而言，192GB SOCAMM2 能在测试中将 TTFT（首 Token 延迟）缩短 80% 以上，并可在 Vera Rubin NVL144 机架系统中提供超过 40TB 的 CPU 内存（每系统 36 颗 CPU，每颗 CPU 配备 6 根 SOCAMM2）。

美光高级副总裁兼云存储业务部门总经理 Raj Narasimhan 表示：

随着人工智能工作负载日益复杂且要求更高，数据中心服务器必须提升能效，以每瓦功率处理更多数据。

美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位已得到充分验证，确保我们的 SOCAMM2 内存模块能够提供数据吞吐量、能效、容量及数据中心级品质，这些特性对于驱动新一代人工智能数据中心服务器至关重要。